निरोधित गेट द्विध्रुवी ट्रँझिस्टर (Insulated-gate bipolar transistor, IGBT)

निरोधित गेट द्विध्रुवी ट्रँझिस्टर (IGBT) हे प्रबल अर्धसंवाहक साधन (Power semiconductor device)  आहे. रचना : निरोधित गेट द्विध्रुवी ट्रँझिस्टरचे चिन्ह आ. १ मध्ये दाखवल्याप्रमाणे असते. संग्राहक अग्र (Collector, C), उत्सर्जी…

मॉस्फेट (MOSFET)

मॉस्फेट म्हणजेच धातवीय ऑक्साइड अर्धसंवाहक क्षेत्र-परिणामकारक ट्रँझिस्टर (Metal oxide Semiconductor field-effect transistor, MOS transistor) होय. रचना : मॉस्फेटचे चिन्ह खालील आ. १ मध्ये दिलेले आहे. मॉस्फेटला तीन अग्र (Terminals) असतात…

गेट टर्न-ऑफ थायरिस्टर (Gate turn-off thyristor, GTO)

गेट टर्न-ऑफ थायरिस्टरचे कार्य हे सिलिकॉन नियंत्रित एकदिशकारकाच्या (Silicon controlled rectifier, SCR) कार्यासारखेच आहे. गेट टर्न-ऑफ थायरिस्टर हे धन गेट स्पंदांनी (Pulse) चालू करता येतो. सिलिकॉन नियंत्रित एकदिशकारक आणि गेट…